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作 者:柳洋[1] 任国仲[1] 宿太超[2] 马红安[2] 邓乐[2] 姜一平[2] 郑世钊[2] 林乐静[1] 秦丙克[2] 贾晓鹏[2]
机构地区:[1]湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭411105 [2]吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春1300123
出 处:《材料研究学报》2010年第6期615-618,共4页Chinese Journal of Materials Research
基 金:国家自然科学基金50731006;国家青年科学基金50801030项目资助~~
摘 要:在高温高压下合成方钴矿结构热电材料Ba_(0.32)Co_4Sb_(12-x)Te_x(0.1≤x≤0.9),测试了样品的微观结构和室温电学性质。结果表明:Ba填充Te置换型方钴矿Ba_(0.32)Co_4Sb_(12-x)Te_x为n型半导体;在不同压力下,随着Te填充分数的增加,Seebeck系数的绝对值和电阻率均呈降低趋势,功率因子显著提高。在1.5 GPa、900 K条件下合成的Ba_(0.32)Co_4Sb_(11.9)Te_(0.1)化合物功率因子达到最大值(9.7μWcm^(-1)K^(-2))。Polycrystalline skutterudites Ba_(0.32)Co_4Sb_(12-x)Te_x(nominally x from 0.1 to 0.9) were successfully synthesized by high pressure and high temperature(HPHT) method.The XRD results indicate that all samples have the crystal structure of single phase CoSb_3.The dependence of electric transport properties for Ba_(0.32)Co_4Sb_(12-x)Te_x samples on Te filling fraction and pressure has been investigated at room temperature.All samples show n-type conduction.The absolute value of Seebeck coefficient and the electrical resistivity decrease with the increasing of Te content.The maximum power factor(9.7μWcm^(-1)K^(-2))is obtained for Ba_(0.32)Co_4Sb_(11.9)Te__(0.1) synthesized at 1.5 GPa and 900 K.
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