0.1μm器件以后的SR缩小光刻  

出　　处：《光机电信息》1999年第8期31-32,共2页OME Information

摘　　要：极紫外曝光(EUVL)从原理上说与紫外缩小光刻是一样的,其特点是代替折射透镜,使用了反射镜一面镀有软X射线范围具有较高反射率的多层膜的反射缩小光学系统。掩模可用放大4—5倍的掩模,并且该掩膜上用多层膜形成的大块基板,因此可以忽略SR照射引起的热变形,确保较高的图形形成精度。从理论上来说,可以通过短波长和高NA使分辨率达到无限小,有可能获得0.1～0.01μm的线宽。

关 键 词：极紫外曝光 软X射线 紫外缩小光刻 多层膜 

分 类 号：TB88[一般工业技术—摄影技术] O434.1[机械工程—光学工程]