一种新颖的HgCdTe光伏探测器R_0和C_d测量方法  

A Novel Measurement Method of R_0 and C_d for Photovoltaic HgCdTe Infrared Detectors

作　　者：余连杰[1] 史衍丽[1] 康蓉[1] 彭曼泽[1] 庄继胜[1] 

机构地区：[1]昆明物理研究所,云南昆明650223

出　　处：《红外技术》2011年第1期9-12,共4页Infrared Technology

基　　金：云南省基金面上项目(编号:2008CD176)

摘　　要：把碲镉汞(HgCdTe)光伏探测器的零偏压结电阻R0和结电容Cd的交流测试法与124A型锁相放大器的特点结合起来,提出了一种新颖的R0和Cd测量方法。该方法简单易行,而且能准确测量出高阻(R0≥1 k?)HgCdTe光伏探测器的零偏压结电阻R0、结电容Cd、响应时间τ和面阻抗(R0A)等参数,并采用标准探测器估算出该系统的测试误差(<5%)。这种方法还可以用来测量其他材料光伏探测器的零偏压结电阻和结电容。The AC measurement method of zero bias junction impedance（R0） and junction capacitance （Cd） combines with the characteristic of Model 124A Lock-in Amplifier, we produce a novel measurement method of R0 and Cd for photovoltaic HgCdTe infrared detectors. The R0, Cd, r and and RoA of the photovoltaic HgCdTe infrared detectors can be measured accurately by the method. The error （〈 5%） of the measurement is estimated by a normative detectors. Moreover, the method is used to measure the R0 and Cd of other materials photovoltaic infrared detectors.

关 键 词：光伏探测器 124A锁相放大器 参数测量 新颖方法 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]