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作 者:李郎楷[1] 陈永杰[1] 肖林久[1] 杨英[1] 刘婷婷[1]
机构地区:[1]沈阳化工大学辽宁省稀土化学及应用重点实验室,沈阳110142
出 处:《材料导报》2011年第2期51-53,共3页Materials Reports
基 金:沈阳市科技计划基金资助项目(10633070);辽宁省科技厅基金资助项目(2006223004)
摘 要:采用高温固相法合成了掺杂Ln(Ln=Gd3+,Cu+,Sm3+,Dy3+)作助激活离子的氯硅酸镁钙荧光粉。通过X射线衍射(XRD)对Ca8Mg(SiO4)4Cl2∶Eu2+,Ln进行了表征,结果表明Ln的共掺杂并没有影响基质晶体的面心立方结构。所合成的荧光粉发射峰值位于507nm的绿光区,激发光谱在330~430nm之间均有较强吸收,与紫光InGaN芯片(395nm)相匹配。掺杂Ln作助激活剂增强了荧光粉的发光强度。借助Uitert经验公式计算出Eu2+在Ca8Mg(SiO4)4Cl2基质中占据八配位Ca(Ⅱ)格位。The calcium magnesium chlorosilicate green phosphors co-activated by Eu2+ and Ln(Ln= Gd3+ , Cu+ ,Sm3+ , Dy3+ ) were synthesized by high-temperature solid state reaction. The crystal lattice structure of CasMg- (SiO3)4Cl2 : Eu2+ , Ln was checked by an Xray diffractometer, and the results show that the structure of the phosphors is face-centered cubic and the Im co-activated ion has no influence on crystal structure. The phosphors Ca8 Mg- (SiO4)4Cl2: Eu2+ , Ln, emitting green light peak at 507nm, exist broad excitation wave-band ranging from 330ran to 430nm matching with InGaN chips(395nm). It is also observed that the doping of I.n as auxiliary activator ions can enhance luminescence intensity. The site of Eu2+ , occupying 8 coordinated ( Ⅱ) in Ca8Mg(SiO4 )4Cl2 matrix, are cal culated by means of Uitert empirical formula.
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