PLZT陶瓷的晶界现象  

Grain boundary region of PLZT ceramics.

作　　者：祝炳和[1] 赵梅瑜[1] 姚尧[1] 郑鑫森[1] 敖海宽[1] 殷之文[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

出　　处：《电子元件与材料》1999年第5期13-16,共4页Electronic Components And Materials

摘　　要：利用显微技术，研究了ＰＬＺＴ陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为。制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片， 利用十字形电极， 观察在电场作用下， 电畴运动的动态过程。讨论所观察到的一些晶界有关现象，如： 晶界平滑区， 晶界区的电光性， “壳－芯”结构， 析出物在晶界区的沉积， 电畴在该区的成核和生长， 空间电荷在该区的积累等等。认为存在高应变能的晶界区，ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS (China),Vol.18,No.5,P. 13 16 (Oct.1999).In Chinese. The microstructure of PLZT ceramics and its behaviors under electric field are investigated by microscopy technique.Large grain sized specimens,polished monograin thick slices and cross electrodes are prepared for observing the dynamic processes of domain movement.The observed phenomena are discussed such as smooth grain boundary region,different electrooptic properties of grain boundary region,core shell structure,precipitation in grain boundary region,domain nucleation from grain boundary.Presence of high strain grain boundary region plays a fundamental role in producing above phenomena.(10 refs.)

关 键 词：功能陶瓷 晶界 电畴 PLZT 

分 类 号：TM280.13[一般工业技术—材料科学与工程]