磁通量子比特qubit信号强度随势垒偏置电压的变化  

RELATIONSHIP BETWEEN FLUX QUBIT SIGNAL MAGNITUDE AND BARRIER BIASVOLTAGE

作　　者：窦伟平[1] 花涛[1] 王轶文[2] 许伟伟[1] 丛山桦[1] 孙国柱[1] 于扬[2] 吴培亨[1] 

机构地区：[1]南京大学超导电子学研究所,江苏南京210093 [2]南京大学固体微结构国家实验室,江苏南京210093

出　　处：《低温物理学报》2011年第1期15-19,共5页Low Temperature Physical Letters

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10874074;200802840031);科技部重大基础研究计划"973计划"(批准号:2006CB601006;2007CB310404);教育部博士点基金(批准号:200802840031)资助的课题~~

摘　　要：在20mK极低温下,测量了超导磁通量子比特的环流方向,并测到量子比特(qubit)信号.通过改变磁通量子比特的势垒高度,得到qubit信号强度随势垒高度的变化的实验数据并建立理论模型解释了实验现象.At the extremely low temperature of 20mK,We measured the superconducting flux qubit loop current with DC-SQUID,and find the qubit signal.Then we changed the barrier bias voltage of the flux qubit and did measurements with each barrier height to get the relationship between flux qubit signal magnitude and the barrier bias voltage.We also build up a theory model to explain the Experimental phenomena.

关 键 词：超导磁通量子比特 qubit信号强度 qubit势垒高度 

分 类 号：O413.1[理学—理论物理]