对掺杂磷的硅单晶中电子自旋的动力学解耦  

作　　者：荣星[1] 王亚[1] 杨佳慧[1] 朱进贤[1] 徐挽杰[1] 冯鹏博[1] 温旭杰[1] 苏吉虎[1] 杜江峰[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学物理学院近代物理系,合肥微尺度物质科学国家实验室,合肥230026

出　　处：《科学通报》2011年第1期2-8,共7页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(2007CB925200)

摘　　要：量子相干是量子计算所利用的主要资源.由于与周围嘈杂环境的耦合,量子比特会遭受退相干效应.动力学解耦(DD)技术是对量子比特进行快速反转操作,可以有效消除量子比特与环境之间的耦合.而最优动力学解耦就是用最少数目的脉冲消除一定阶数的退相干效应.本文首先介绍了我们最近的工作进展,即保持γ辐照丙二酸单晶中电子自旋相干,并分析了这种固体体系中不同的退相干机制.然后考察了另一种固体体系,即掺杂磷的硅单晶.利用电子顺磁共振(EPR)手段对该系统中电子自旋的弛豫性质进行了研究.另外,同样考察了动力学解耦技术在该体系中的性能.实验结果表明,当使用一个脉冲控制,电子自旋相干时间为112μs,然而通过使用八脉冲的周期性动力学解耦脉冲,电子自旋的相干时间被延长到了296μs.

关 键 词：退相干 动力学解耦 量子计算 

分 类 号：O413.1[理学—理论物理]