常压下Se和Te电子结构和弹性性质的第一性原理计算  

First-Principles Calculations on Electronic and Elastic Properties of Se and Te at Ambient Pressure

作　　者：刘浩[1] 王晓明[2] 朱岩[2,3] 郝爱民[2,3] 

机构地区：[1]石家庄职工大学教务处,石家庄050041 [2]河北科技师范学院理化学院,河北秦皇岛066004 [3]燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,河北秦皇岛066004

出　　处：《吉林大学学报（理学版）》2011年第1期121-124,共4页Journal of Jilin University:Science Edition

基　　金：国家重点基础研究发展计划973项目基金(批准号:2005CB724404);中国博士后科学基金(批准号:20090450924);河北科技师范学院博士启动基金(批准号:2008YB001)

摘　　要：利用基于密度泛函的第一性原理,计算ⅥA族元素Se和Te在常压下的能带结构、电子态密度、弹性系数和德拜温度.能带结构和电子态密度的计算结果表明:Se为间接带隙半导体,Se费米面附近的导带和价带主要来自外层4p4电子的贡献,4s2电子对费米面附近的导带和价带贡献较少;Te为直接带隙半导体,Te费米面附近的导带和价带主要来自外层5p4电子的贡献,5s2电子对费米面附近的导带和价带贡献较少.弹性系数计算结果表明:常压下具有六角结构的Se和Te的力学性质稳定;其德拜温度分别为263 K和315 K.An investigation on energy band structures,density of states,elastic coefficients and Debye temperature of Se and Te at ambient pressure was conducted via first-principles calculations based on density functional theory（DFT）.The results show that Se is an indirect band gap semiconductor and Te is a direct band gap one.The valence bands and conduction bands are mainly the contributions of the outermost p electrons.Moreover,the calculated results of elastic coefficients indicate that the hexagonal structures of Se and Te are mechanically stable at ambient pressure,and their Debye temperatures are 263 K and 315 K,respectively.

关 键 词：第一性原理计算 能带结构 弹性系数 德拜温度 

分 类 号：O482.1[理学—固体物理]