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机构地区:[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都610054 [2]中国科学院微电子研究所,北京100029
出 处:《现代电子技术》2011年第2期157-160,共4页Modern Electronics Technique
基 金:国家自然科学基金资助项目(60676015)
摘 要:提出了一款适合在低电压、大容量SRAM中应用的高速低功耗电流型灵敏放大器。该电路在交叉耦合反相器之间添加了一对隔离管,有效消除了大量位线寄生电容所带来的负面影响,从而极大提高了灵敏放大器的速度。同时,通过对时序控制电路的优化,有效降低了放大器的功耗。采用SMIC 0.13μm数字工艺在HSpice下进行仿真,结果表明:在室温,1.2 V工作电压下,灵敏放大器的放大延迟仅为0.344 ns,功耗为102μW。相比文献中提出的电流型灵敏放大器,速度分别提高了9.47%和31.2%,功耗则降低了64.8%与63%。A high-speed and low-power current-mode sense amplifier for low-voltage and high capacitance SRAM applica- tion is presented. This circuit availably eliminated the negative effect of plentiful bit-line parasitical capacitance by adding a pair of separate transistors among the cross-coupled inverters, which extensively improved the speed of the sense amplifier. Meanwhile the sense amplifier effectively saved the power consumption by optimizing the timing control circuit. Simulation re- suits based on a SMIC 0. 13μm digital technology verify that the sensing delay of the sense amplifier is only 0. 344 ns and the power consumption is 102 μw at room temperature and 1.2V supply voltage. Compared with the listed literatures, the sensing delay of the proposed design has 9. 47% and 31.20% improvement respectively and the power consumption has 64. 8% and 63% improvement respectively.
关 键 词:电流型灵敏放大器 交叉耦合反相器 隔离管 时序控制电路
分 类 号:TN919-34[电子电信—通信与信息系统]
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