相位失配与材料吸收对利用GaSe差频产生太赫兹波功率影响的研究  

Analysis of the effect of phase-mismatch and material absorption on the terahertz-wave generation from GaSe

作　　者：陆金星[1] 黄志明[1] 黄敬国[1] 王兵兵[1] 沈学民[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《物理学报》2011年第2期298-304,共7页Acta Physica Sinica

基　　金：中国科学院重大科研装备研制项目(批准号:YZ200835);上海市优秀学科带头人基金(批准号:10XD1404800)资助的课题~~

摘　　要：从理论上分析了相位失配与材料吸收在利用GaSe非线性差频产生太赫兹(THz)波中的影响,计算得到了4种不同情况下的晶体最佳长度值和相应THz最大功率,计算了角度失配对于相位失配的影响,计算结果为非线性光学差频实验提供了重要参考依据和理论设计基础.We analyzed the effect of phase-mismatch and material absorption on the terahertz-wave difference-frequency generation from GaSe theoretically. We calculated the best length of crystal and the corresponding terahertz power under four different conditions and the effect of angle-mismatch on phase-mismatch. The result provided a theoretical basis and reference to nonlinear optical difference-frequency experiments.

关 键 词：太赫兹波 GaSe晶体 相位失配 材料吸收 

分 类 号：O437[机械工程—光学工程]