半导体桥电流电压特性理论仿真研究  

Theoretic Simulation of the Dynamic Current and Voltage of Semiconductor Bridge

作　　者：叶家海[1] 汪贵华[2] 秦志春[1] 周彬[1] 张文超[1] 田桂蓉[1] 徐振相[1] 

机构地区：[1]南京理工大学化工学院,江苏南京210094 [2]南京理工大学电光学院,江苏南京210094

出　　处：《火工品》2010年第1期6-9,共4页Initiators & Pyrotechnics

摘　　要：通过试验获得了充电电容对半导体桥(SCB)放电过程中SCB两端的电压以及流过SCB的电流,利用分段计算电阻值变化方法,得到了SCB的温度与电阻的关系,然后运用该关系模拟了SCB的电压——时间和电流——时间的关系曲线。该模拟方法主要从SCB电爆特性的物理意义出发,无需大量的数学束缚条件,且得到的模拟数值与试验结果基本一致。Based on the test results of capacitor discharge of semiconductor bridge （SCB）, the current vs time and voltage vs time curves are calculated using the relationship between temperature and resistance of SCB. The method simulates the dynamic properties of SCB without employing much mathematical constraints, and the physical meanings are clear and the results are nearly pleased.

关 键 词：半导体桥 动态特性 电容放电 仿真 

分 类 号：TJ450.1[兵器科学与技术—火炮、自动武器与弹药工程]