Photoluminescence Character of Silicon Dioxide Irradiated by Xe, Kr and Bi Ions  

作　　者：Song Yin Zhang Chonghong Yao Cunfeng Li Binsheng Sheng Yanbin Gou Jie 

机构地区：[1]Supported by National Natural Science Foundation of China, Natural Science foundation of Gansu.

出　　处：《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版》2009年第1期93-94,共2页IMP & HIRFL Annual Report

关 键 词：二氧化硅 光致发光特性 铋离子 半导体发光材料 辐照 物理化学特性 半导体设备 氙 

分 类 号：O484.41[理学—固体物理] TQ127.2[理学—物理]