铁电材料创下芯片存储密度新纪录  

出　　处：《现代材料动态》2011年第1期22-22,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：日本东北大学的科学家们在实验室中使用铁电存储技术将存储芯片的存储密度提高到每平方英寸4万亿（trillion）个字节，创造了还处于实验阶段的铁电存储体的世界新纪录，该密度是目前最先进的磁性硬盘存储器存储密度的8倍左右，研究发表在《应用物理学快报》杂志上。

关 键 词：存储密度 铁电材料 存储芯片 日本东北大学 硬盘存储器 应用物理学 存储技术 实验室 

分 类 号：TP333.35[自动化与计算机技术—计算机系统结构]