不同金属掺杂对TiO_2薄膜氧敏性能影响  

The Oxygen Sensing of Different Metal Doped Titanium Oxide Thin Film

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作  者:王巍[1] 王晓磊[1] 代作海[1] 王颖[1] 

机构地区:[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065

出  处:《电子质量》2011年第2期11-13,共3页Electronics Quality

摘  要:该文讨论了TiO2对氧气的吸附过程及敏感机理、重点分析了掺铁和掺钨对氧敏特性的影响,并比较了两者的异同。制作了掺铁和掺钨的TiO2薄膜,并在400℃下对薄膜氧敏特性进行了测试。结果表明,TiO2具有低电阻的特点,在高温下能够有效感应氧气浓度的变化。The oxygen adsorption process on the surface of TiO2 and oxygen sensing mechanism is investigated,and the effect of ferric dopant and tungsten dopant on TiO2 is discussed in detail.The ferric-doped titanium oxide thin film and tungsten-doped titanium oxide thin film are fabricated by silicon technology;the gas sensor sample is tested at 400℃.The result show that the sample is with low resistance,can response to the change of oxygen content at high temperature.

关 键 词:TIO2 FE W 氧敏特性 

分 类 号:O484[理学—固体物理]

 

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