基于腔QED的一种非均匀量子行走  

An Inhomogeneous Quantum Walk Based on Cavity QED

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作  者:桂卫军[1] 江民斌[2] 

机构地区:[1]南昌工程学院理学系,江西南昌330099 [2]南昌工程学院计算机科学与技术系,江西南昌330099

出  处:《量子光学学报》2011年第1期1-4,共4页Journal of Quantum Optics

摘  要:基于已有的文献,提出一种非均匀的量子行走,这种行走的特点是:针对不同的位置,手征态的变换具有不同的形式。在对该行走作一定的说明之后,我们进一步提出在腔QED体系中,实现该种行走的一种可能方案。We propose a kind of inhomogeneous quantum walk. In this context, based on the presented scheme, the quantum coin flip at each site can be different from the others. After some detailed description of the walk, we furtherly proposed a feasible scheme in the cavity QED system.

关 键 词:非均匀 量子行走 腔QED 

分 类 号:O431[机械工程—光学工程]

 

参考文献:

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引证文献:

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