晶体硅太阳电池SiN_x/Al背反射性能研究  

作　　者：梁宗存[1] 陈达明[1] 朱彦斌[1] 沈辉[1] 

机构地区：[1]中山大学太阳能系统研究所,光电材料与技术国家重点实验室,广州510006

出　　处：《中国科学：技术科学》2011年第1期16-20,共5页Scientia Sinica(Technologica)

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60876044);广东省科技攻关计划(批准号:2007A010700002)资助项目

摘　　要：随着硅片的不断减薄,晶体硅太阳电池背反射性能变得越来越重要.本文首先采用PC1D软件进行理论模拟,研究背反射率对电池的电学和光学性能影响.模拟表明,电池的短路电流、开路电压和内、外量子效率均随着背反射率增大而变大.当电池背反射率从60%增加到100%时,电池短路电流提高了0.128A,最大输出功率提高了0.066W,开路电压提高0.007V;1100nm波长下,内量子效率提高39.9%,外量子效率提高17.4%,电池效率提高了0.4%.然后,通过丝网印刷技术制备了SiNx/Al背反射器,实验结果表明,在长波波段SiNx/Al背反射器具有良好的背反射性能,在1100nm以上的长波波段含有SiNx/Al背反射器结构的电池比普通Al背场电池对同波长光的背反射率高出15%,因而具有更高的电池效率.

关 键 词：晶体硅太阳电池 背反射 PC1D模拟 背反射器 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]