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作 者:王立娟[1] 周炳卿[1] 那日苏[1] 韩兵[1] 郝丽媛[1] 金志欣[1]
机构地区:[1]内蒙古师范大学物理与电子信息学院内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室,内蒙古呼和浩特010022
出 处:《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》2011年第1期42-45,共4页Journal of Inner Mongolia Normal University(Natural Science Edition)
基 金:国家自然科学基金资助项目(50662003);内蒙古自然科学基金资助项目(2009MS0806)
摘 要:对晶向为(100)的p型单晶硅片进行表面刻蚀,制作减反射绒面.在质量分数为3%的氢氧化钠溶液中分别加入不同质量分数的异丙醇溶液,在温度为80℃、时间为40 min的条件下对单晶硅片进行刻蚀.实验结果显示,加入质量分数为8%的异丙醇溶液刻蚀的硅片表面形貌最好,在波长为700~900 nm范围内能够获得较低的反射率,最佳反射率为10.42%.保持实验条件不变,在氢氧化钠-异丙醇混合液中分别加入不同质量分数的碳酸钠溶液,对单晶硅片进行刻蚀.实验结果显示,加入质量分数为0.5%的碳酸钠溶液对制作绒面的反射率影响不大,加入质量分数为0.3%的碳酸钠溶液使制作绒面的反射率大大提高,不利于制作绒面的形成.The surface of p-type(100) oriented crystalline silicon wafer is texturized to reduce the surface reflectance.The mixed solution with a concentration of 3 wt% sodium hydroxide(NaOH) and adding different concentration of isopropyl alcohol(IPA) were used to etch the surface of crystalline silicon wafer at 80 ℃ for 40 min in the experiments.The results showed that we obtain the best surface morphology with a sufficient low reflectivity of 10.42% when adding 8 wt% IPA to 3 wt% NaOH solutions between 700 and 900 nm.Under the above conditions,an average reflectivity of 11.22% and 14.27% was obtained by adding 0.5wt% and 0.3 wt% Na2CO3 solutions,respectively.By adding 0.5 wt% Na2CO3 solution,the change of the reflectivity was very small.But,when adding 0.3 wt% Na2CO3 solution,the average reflectivity of textured surface has a large increase,and it was not good to form a pyramid surface morphology.
关 键 词:太阳能电池 单晶硅片 表面形貌 反射率 异丙醇 碳酸钠
分 类 号:TK514[动力工程及工程热物理—热能工程]
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