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作 者:高娇[1] 张国营[1] 薛刘萍[1] 陈辉[1] 杨国[1]
出 处:《原子与分子物理学报》2011年第1期17-22,共6页Journal of Atomic and Molecular Physics
基 金:中央高校基础研究基金(2010LKWL07)
摘 要:在最弱受约束电子势模型理论下,通过研究量子数亏损δ_n与m^(-2)之间的变化规律,确定了Sn Ⅰ原子的5 pnp(1/2,3/2)_2和5pnf(1/2,5/2)2两个系列的六个外来微扰谱项的能级.在考虑了这些外来微扰项影响的基础上,计算了这两个受扰Rydberg系列的量子数亏损与能级.计算结果与实验值符合较好,相对误差小于3.63E-05,达到了很高的精确度,依此外推的能级数据具有较高的可信度.Under the weakest bound electron potential model theory, six foreign perturbing levels of the Rydberg series and of SnⅠ are determined based on the relation of with .When the configuration correlation are taken into account, the energy levels and quantum number defects of the perturbed Rydberg series and are calculated. The calculated results are in good agreement with the experimental data. The maximum relative error between the calculated and measured values is 3.63E-05 and the extrapolated data of energy levels are reliable.
关 键 词:最弱受约束电子势模型 SnI原子 量子数亏损 微扰Rydberg能级
分 类 号:O571.5[理学—粒子物理与原子核物理]
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