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机构地区:[1]河南师范大学物理信息工程学院,新乡453007 [2]河南省光伏材料重点实验室,新乡453007 [3]新乡职业技术学院,新乡453007
出 处:《原子与分子物理学报》2011年第1期139-144,共6页Journal of Atomic and Molecular Physics
基 金:"河南省创新型科技人才队伍建设工程"(104200510014);河南省高等学校青年骨干教师资助计划项目(2009GGJS-044);河南省基础与前沿技术研究计划项目(092300410249)
摘 要:根据介电连续模型和单轴晶体模型研究了纤锌矿量子阱中的界面声子模及其电声子相互作用的Fr?hlich哈密顿,我们计算和讨论了纤锌矿GaN/ZnO单量子阱中的界面声子的色散关系和电声子相互作用的耦合强度.色散曲线充分体现了纤锌矿晶体的各向异性;四支界面声子模出现在两个能量区域中,分别是:[ω_(⊥,TZnO,ω_(z,TGaN)]和[ω_(⊥,LZnO,ω_(z,LGaN)].界面声子的色散曲线随波数q;⊥的减小而消失,从而表明界面声子与其它声子模之间存在能量交迭区域.我们的结果也阐述了纤锌矿GaN/ZnO单量子阱中每支声子模与电子相互作用的对称性和耦合强度.Within the framework of the dielectric continuum (DC) model and Loudon’s uniaxial crystal model, the interface-optical-phonon (IOP) modes and their electron-phonon interactions -like Hamiltonian are investigated in wurtzite multilayer heterostructures. The dispersion relation and electron-IOP coupling strength are numerically calculated for a wurtzite GaN/ZnO single quantum well (QW). The dispersion curves show the anisotropic effects of wurtzite crystal. The IOP modes have four branches, which exist in frequency ranges [ , ] and [ , ], respectively. As a special case, such as appearance of reduction dispersion of the IOP mode, arise as a result of overlapping characteristic phonon frequencies of a wurtzite GaN/ZnO single QW. Our calculations also illustrate the symmetry and the coupling strength of the electron interaction with each mode in a wurtzite GaN/ZnO single QW.
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