基于InAs单量子点的单光子干涉  

Single-photon interference based on a single InAs quantum dot

作　　者：李园[1] 窦秀明[1] 常秀英[1] 倪海桥[1] 牛智川[1] 孙宝权[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京100083

出　　处：《物理学报》2011年第3期749-752,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:90921015)资助的课题~~

摘　　要：利用分子束外延生长InAs单量子点样品,测量了温度为5K时单量子点的荧光(PL)光谱.采用时间关联光子强度测量(HBT)验证了PL光谱具有单光子发射特性.单光子通过马赫曾德尔(MZ)干涉仪,验证了单光子自身具有干涉特性.测量了当MZ干涉仪两臂偏振方向的夹角改变时对应的单光子干涉及条纹可见度的变化.Single InAs quantum dot （ QD） sample is grown by molecular-beam epitaxy （ MBE）,and the photoluminescence （ PL） from a single QD at 5 K is measured. By means of Hanbury-Brown and Twiss （HBT） setup,we measure the photon correlation of the PL which indicates that the PL of QD is single-photon emission. This single-photon source is used to demonstrate experimentally the single-photon interference via Mach-Zehnder （ MZ ） interferometer. In addition,the measured interference and fringe visibility are analyzed by changing the different linear polarization of the photon between two arms of MZ interferometer.

关 键 词：量子点单光子源 反群聚效应 马赫曾德尔干涉 

分 类 号：O431.2[机械工程—光学工程]