高频条件下IGBT驱动电路的设计与仿真  

作　　者：黄星星[1] 蒋友成 

机构地区：[1]东南大学电气工程学院,江苏南京210096 [2]江苏爱克赛电气制造有限公司,江苏扬州225131

出　　处：《电子元器件应用》2011年第2期38-40,共3页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：文中对大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)的开关特性、驱动要求进行了分析和讨论,介绍了一种高频条件下实用的IGBT驱动电路,并通过理论分析和仿真波形说明了该驱动电路的有效性和适用性。

关 键 词：高频 绝缘门极双极型晶体管 驱动电路 IGBT 

分 类 号：TN773[电子电信—电路与系统]