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机构地区:[1]厦门大学物理学系,生物学系厦门361005 [2]中国科学院红外物理国家实验室,上海200083
出 处:《光电子.激光》1999年第4期351-354,共4页Journal of Optoelectronics·Laser
基 金:福建省自然科学基金;中科院上海技术物理所红外物理国家实验室资助
摘 要:在室温下测量了3 种不同的掺杂浓度(60 at% ,4.0 at% ,3.2 at% ) Y V O4: Tm 3+ 在200~900 nm波段的吸收光谱。结果指出, Tm 3+ 掺杂的 Y V O4 晶体光吸收值随 Tm 3+ 浓度而变化,每一谱带形状和结构是相似的;而高掺杂浓度 Tm 3+ 的光吸收相对强度比低掺杂浓度的 Y V O4 吸收强;不同晶轴 Y V O4 晶体吸收质显示出各向异性。观察到在a 晶轴含有π和σ偏振的吸收谱。简要地讨论了 Tm 3+ : Y V O4 光吸收能级跃迁性质。The optical absorption spectra of Tm 3+ in YVO 4 crystals plates with various doping concentration(6 at%、4 at%、3.2 at% respectively) were measured at room temperature in the wavelength range from 200 nm to 900 nm.The results indicated that the absorbance varies with Tm 3+ concentration in YVO 4 crystal and the shape and structure of group bands are similar and the intensity of absorption for the high Tm 3+ doping concentration samples is stronger than that for the low Tm 3+ concentration samples.It is clear that the absorption characteristics for different axes of Tm 3+ :YVO 4 crystal show optical anisotropy,and the absorption spectra of a axis crystal plates including both π and σ polarization were observed.The absorption transition characteristics of Tm 3+ :YVO 4 have been discussed briefly.
分 类 号:TN244[电子电信—物理电子学] O734.1[理学—晶体学]
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