非对称结构相变存储单元制备及性能研究  

Preparation and Properties of Phase Change Memory Cell with Asymmetric Structure

作　　者：鄢俊兵[1,2] 温学鑫[1] 程晓敏[1] 缪向水[1] 

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074 [2]山东华芯半导体有限公司,山东济南250101

出　　处：《纳米科技》2011年第1期16-18,25,共4页

基　　金：国家863高技术研究发展计划项目（No.2009AA01Z113 No.2009AA01A402）

摘　　要：采用光刻、溅射以及剥离等微纳制备及加工工艺,实现了非对称结构相变存储单元的制备,并对该非对称相变存储单元进行了直流及脉冲电流写入电特性测试,测试结果表明,该非对称相变存储单元可实现非晶态与晶态之间的可逆相变,且脉冲电流写入的特性稳定。当写脉冲宽度分别为20ns、30ns、40ns时,最小写电流分别为1.45mA、1.38mA和1.25mA。写入脉冲宽度一定时,施加的写入脉冲电流越大,写入操作后相变单元相变层非晶化程度越高。Phase change memory （PCRAM） cell with asymmetric structure was prepared by nano-scale processes, such as lithography, sputtering and liftoff. Both direct and pulsed current writing （reset） properties were tested. Reversible phase change can be stably realized between amorphous and crystalline states. When the writing pulse widths are 20 ns, 30 ns, 40 ns, the corresponding minimum reset currents are accordingly 1.45 mA, 1.38 mA and 1.25 mA. With a certain pulse width, larger reset current leads to more enhanced amorphous state in the phase change layer of this PCRAM cell.

关 键 词：相变存储器 非对称 微纳加工工艺 

分 类 号：TP333.5[自动化与计算机技术—计算机系统结构]