强磁场对Sn-3Ag-0.5Cu/Cu扩散偶界面金属间化合物生长的影响  

作　　者：朱凤[1] 王来国[1] 吴根华[1] 

机构地区：[1]安庆师范学院化学化工学院,安徽安庆246003

出　　处：《四川兵工学报》2011年第2期139-141,共3页Journal of Sichuan Ordnance

基　　金：2007年度教育厅自然科学研究项目(KJ2007B270)

摘　　要：研究了强磁场对Sn-3Ag-0.5Cu/Cu扩散偶界面金属间化合物生长的影响。结果表明:在强磁场作用下,Sn-3Ag-0.5Cu/Cu扩散偶在170℃时效过程中其界面金属间化合物的生长规律与无磁场作用时相同。但强磁场作用下界面金属间化合物的生长速率较无磁场作用时有所增加。通过比较正反向强磁场对界面金属间化合物生长的影响发现:正向强磁场作用下界面金属间化合物的生长速率大于反向强磁场作用下界面化合物的生长速率。

关 键 词：强磁场 金属间化合物 扩散偶 生长速率 

分 类 号：TG111.4[金属学及工艺—物理冶金]