飞秒激光烧蚀硅表面产生微纳结构过程中激光脉冲数目的影响  

Influence of the number of femtosecond laser pulses on femtosecond laser ablation silicon surface producing micro-nano structure

作　　者：阮召崧[1] 彭滟[2] 朱亦鸣[1,2] 何波涌[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微电子学院,上海200240 [2]上海理工大学光电信息与计算机工程学院教育部光学仪器与系统工程研究中心,上海200093

出　　处：《光学技术》2011年第2期245-248,共4页Optical Technique

基　　金：上海市教育发展基金会曙光计划项目(08SG48);上海市科委纳米技术专项基金资助项目(0952nm02400);上海市科委浦江人才计划项目(09PJ1407800);上海市教育委员会科研创新项目(11YZ117);国家教育部博士点新教师基金项目(20093120120007);教育部留学回国科研启动基金资助项目

摘　　要：为了研究飞秒激光脉冲数目与硅表面形貌之间的关系,在相同的SF6气体氛围下,改变照射硅表面的飞秒激光脉冲数,发现在飞秒激光照射下由硅表面形成的微型锥状尖峰的高度与飞秒激光脉冲数呈现一种非线性关系。通过对该关系的研究有利于找出在制造具有较高吸收效率的高微型锥状尖峰的"黑硅"的实验条件,有利于基于"黑硅"材料的光电器件转化效率的提高。To study the relationship between microstructuring of silicon and the number of femtosecond laser pulses,the number of femtosecond laser pulses irradiating the silicon is changed within the same atmosphere of SF6,it is find that there is a non-linear relationship between the height of the micro-cones and the number of femtosecond laser pulses.The study of this relationship is helpful to determine the experiment condition of fabricating ＂black silicon＂ with high micro-cones for high absorption,and the conversion efficiency of the electro-optical devices is improved.

关 键 词：光学材料 飞秒激光脉冲 硅表面微型结构 等离子体增强刻蚀 

分 类 号：TQ127.2[化学工程—无机化工] TN249[电子电信—物理电子学]