多有源区隧道再生半导体激光器稳态热特性  

Steady-state thermal analysis of multi-active zone tunnel regeneration semiconductor laser

作　　者：王智群[1] 尧舜[2] 崔碧峰[1] 王智勇[2] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学光电子技术实验室,北京100124 [2]北京工业大学激光工程研究院,北京100124

出　　处：《强激光与粒子束》2011年第3期817-820,共4页High Power Laser and Particle Beams

基　　金：国家高技术发展计划项目

摘　　要：利用有限元软件ANSYS结合傅里叶定律,对制约适用于光纤耦合输出的新型高功率多有源区隧道再生半导体激光器长寿命工作的稳态热特性进行了系统计算、分析。获得了这种新型器件工作时各有源区温度分布特征及与传统单有源区器件稳态热特性的区别,并给出了多有源区隧道再生半导体激光器工作时各有源区温度的估算方法,同时对有效降低这种新型器件热阻的方法进行了讨论。结果表明:连续工作时,多有源区隧道再生半导体激光器比同材料体系传统结构器件更易获得较高的输出功率。The multi-active zone tunnel regeneration semiconductor laser can fully use the transmission capability of multi-mode optical fiber,but its steady-state thermal property is unclear and limits its applications in high power area.The steady-state thermal property of the laser is studied with ANSYS and Fourier＇s theorem,and temperature profiles of the active zones are obtained.An estimation method of active zone＇s temperature and the way to reduce the laser＇s thermal resistance are presented.Calculation results show that the multi-active zone tunnel regeneration semiconductor laser can reach higher power than the single-active zone semiconductor laser in CW mode.

关 键 词：半导体激光器 光纤耦合 多有源区 隧道再生 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]