ZnO材料电子结构的模拟计算与特性分析  

作　　者：朱娴[1] 

机构地区：[1]南京航空航天大学金城学院实验中心,江苏南京211156

出　　处：《硅谷》2011年第5期26-27,共2页

摘　　要：方向是通过密度泛函理论研究新材料的电子结构性质,对ZnO材料进行第一性原理研究,研究涉及的材料物性包括几何构型、电子结构特性等方面。所使用的是线性化缀加平面波方法的基本理论(LAPW),其中主要内容包括LAPW方法的简要理论和所使用的WIEN2K软件的介绍。具体的描述对ZnO材料的电子结构的计算与分析,并与半导体的典型结构特性相比较,得出结论。

关 键 词：ZNO 电子结构 密度泛函 LAPW 

分 类 号：O4[理学—物理]