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机构地区:[1]中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033 [2]中国科学院研究生院,北京100039
出 处:《发光学报》2011年第3期290-292,共3页Chinese Journal of Luminescence
基 金:吉林省科技发展重点项目(20090346)资助
摘 要:采用离子辅助的电子束双源共蒸技术制备了AZO薄膜,其载流子浓度和迁移率分别为4.39×1020 cm-3和15 cm2.V-1.s-1,在可见光范围内的平均透过率达到85.5%,功函数为5.05 eV。采用AZO作为阳极制备的磷光OLED得到最大亮度为192 400 cd/m2,最大电流效率为83.5 cd/A。结果表明,AZO作为OLED的阳极可获得优异的电致发光性能。Al doped ZnO(AZO) thin film is prepared by the double electron beam co-evaporation with an ion-assisted deposition technique.The AZO film shows a carrier density of 4.39×1020 cm-3 and an electron mobility of 15 cm2·V-1·s-1,respectively.The AZO thin film has a work function of 5.05 eV,and shows an average visible spectral transmittance of 85.5%.OLED based on AZO anode exhibits a maximum luminance of 192 400 cd/m2 and a maximum current efficiency of 83.5 cd/A,which indicates that AZO films can be a promising anode material for organic EL devices.
分 类 号:TN383.1[电子电信—物理电子学] TN873.3
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