单根ZnO纳米线半导体器件的制备及湿敏特性研究  

Research on Fabrication and Moisture Sensitivity of Device Based on a Single ZnO Nanowire a Semiconductor

作　　者：董照月[1] 郎颖[1] 姜威[1] 侯洪涛[1] 

机构地区：[1]哈尔滨师范大学

出　　处：《哈尔滨师范大学自然科学学报》2010年第3期50-52,共3页Natural Science Journal of Harbin Normal University

基　　金：哈尔滨师范大学第四届创新基金资助项目

摘　　要：利用模板法制备了单根ZnO纳米线半导体器件,得到了具有欧姆接触的电极,对器件进行了湿敏测试,通过测得的I-V曲线及响应恢复特性曲线剖析其敏感机理.A semiconductor device based on a single ZnO nanowire was fabricated.The ohmic electrode was synthesized by the template method.By testing the I-V curve and answer-recover curve for vapor, the mechanism of the device was analyzed.

关 键 词：ZNO 敏感元件 吸附 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]