基于整流特性的RRAM无源交叉阵列研究进展  

作　　者：张康玮[1] 龙世兵[1] 刘琦[1] 吕杭炳[1] 李颖弢[1] 王艳[1] 连文泰[1] 王明[1] 张森[1] 刘明[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室,北京100029

出　　处：《中国科学：技术科学》2011年第4期403-411,共9页Scientia Sinica(Technologica)

基　　金：国家重点基础研究发展计划("973"计划)(批准号:2011CB309602;2010CB934200;2008CB925002);国家自然科学基金(批准号:60825403;50972160);国家高技术研究发展计划("863"计划)(批准号:2009AA03Z306);国家科技重大专项(批准号:2009ZX02023-005-4)资助项目

摘　　要：阻变存储器(resistance random access memory,RRAM)无源交叉阵列由于其结构简单、密度高、易3D集成等优点而得到广泛的关注,是RRAM实现高存储密度的一种极具应用前景的集成方案.但是无源交叉阵列中的串扰问题限制了其发展与应用.本文从阻变存储器的集成、无源交叉阵列中的串扰现象出发,综述了应用在无源交叉阵列中的1D1R结构(one diode one resistor)和具有自整流效应的1R结构(one resistor),这2种结构在一定程度上都能够抑制串扰现象的出现,从而避免误读.与有源阵列相比,必须对无源交叉阵列发展一套行之有效的测试方法才能够正确地评估其性能并实现商业应用,综述了当前无源交叉阵列常用的操作电压配置方案.最后,展望了RRAM无源交叉阵列的应用前景.

关 键 词：整流特性 无源交叉阵列 阻变存储器 1D1R 自整流 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]