碲化物薄膜的附着牢固度与其显微结构的关系  

DEPENDENCE OF ADHESION OF FILMS OF TELLURIDE UPON ITS MICROSTRUCTURE

作　　者：张素英[1] 范滨[1] 程实平 凌洁华 周诗瑶[3] 王葛亚 施天生[4] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所 [2]上海尼赛拉公司 [3]上海师范大学测试中心 [4]中国科学院上海冶金研究所

出　　处：《红外与毫米波学报》1999年第4期327-331,共5页Journal of Infrared and Millimeter Waves

摘　　要：用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和透射电镜术（ＴＥＭ）观察Ｓｉ和Ｇｅ基板上ＰｂＴｅ、ＣｄＴｅ及ＰｂＧｅＴｅ单层薄膜及其与ＺｎＳ组合的多层薄膜的显微结构。Microstructures of single layer of telluride and telluride/ZnS multilayer on Si and Ge substrates were investigated by XRD and TEM. The correlation between adhesion and microstructure of layers was given.

关 键 词：碲化物 薄膜 显微结构 附着牢固度 

分 类 号：TN304.25[电子电信—物理电子学] TN305.055