有机发光二极管中空间限制电流的解析模型  

作　　者：杨凯[1] 孙久勋[1] 王平[1] 

机构地区：[1]电子科技大学物理电子学院,四川成都610054

出　　处：《电子元器件应用》2011年第3期62-64,共3页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：文中指出了J-V的解析方程不是漂移方程和泊松方程的严格解,通过分析Pasveer文章中迁移率跟载流子浓度和电场强度的关系,发现载流子浓度的依赖关系是没有必要的。同时对目前流行的Poole-Frenkel模型进行近似化处理,得到了依赖于电场强度的迁移率关系,并在这个近似化处理后的依赖关系的基础上漂移方程和泊松方程能够被严格地解出来,通过把电流-电压方程(关系)的解析模型应用于半导体聚合物,很好地描述了伏安实验数据。

关 键 词：有机发光二极管 空间限制电流 迁移率 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]