三值电压型CMOS施密特电路研究  被引量:4

The Research on Ternary Voltage mode CMOS Schmitt Circuits

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作  者:杭国强[1] 吴训威[2] 

机构地区:[1]浙江大学信息与电子工程学系,杭州310027 [2]宁波大学电路与系统研究所,315211

出  处:《固体电子学研究与进展》1999年第4期410-416,共7页Research & Progress of SSE

基  金:国家自然科学基金资助项目!(No.69573008);浙江省自然科学基金

摘  要:首先对二值CMOS施密特电路的设计思想进行了分析,指出设计施密特电路的关键为阈值控制电路。根据三值CMOS电路有两个信号检测阈的特点,提出了通过文字电路将两个检测阈分离后进行分别控制并由文字电路的输出去控制CMOS传输门的设计方法,由此设计了三值CMOS施密特反相器。By analyzing the design idea of binary CMOS Schmitt circuits firstly, this paper indicates that the key of the design of Schmitt circuits is threshold controlling circuits. Based on the characteristic of having two kinds of signal detection threshold in ternary CMOS circuits, this paper proposes a design method that the two detection thresholds are controlled respectively after they are separated by literal circuits and then the CMOS transmission gate is controlled by the output of literal circuits. Thereby, a ternary CMOS Schmitt inverter is designed. The simulation with PSPICE proved that the designed circuit has ideal function of Schmitt circuits.

关 键 词:多值逻辑 控阈技术 施密特电路 CMOS电路 设计 

分 类 号:TN432.02[电子电信—微电子学与固体电子学]

 

参考文献:

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二级参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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