硫化压力对FeS_2薄膜结构和光学性能的影响  

Influence on Structure and Optical Property of Pyrite(FeS_2) Thin Films by Sulfur Pressure

作　　者：徐文雷[1] 孟亮 刘茂森[1] 

机构地区：[1]浙江大学材料科学与工程学系,杭州310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第12期1132-1136,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：中国博士后科学基金

摘　　要：通过磁控溅射法制备纯Ｆｅ 膜，再在Ｓ气氛中用热硫化法使其转变成为多晶ＦｅＳ２ 薄膜，硫化压力分别为４０、６０、８０ 和１００ｋＰａ，并研究了硫化压力对ＦｅＳ２ 薄膜的结构和光学性能的影响．研究发现，在８０ｋＰａ 条件下，结晶状况达到最佳，光吸收系数较高，禁带宽度可达到０．９ｅＶ．Iron thin films prepared by magnetron sputtering on glass substrates have been annealed at 400℃ in different sulfur atmosphere ranging from 40 to 100kPa for 20h.We study the influence of sulfur atmosphere on structure and optical property.It is found that the structure and optical property of pyrite films are optimized at 80kPa,its band gap is about 0\^9eV. PACC:7280G, 8115, 6110, 7865

关 键 词：硫化铁薄膜 结构 光学性能 硫化压力 半导体材料 

分 类 号：TN304.25[电子电信—物理电子学] O484.1[理学—固体物理]