电压门控钠通道与背根神经元伤害性传入  

Voltage gated Na^+ Channel in Nociceptive Afferents of DRG Neurons

作　　者：谭智勇[1] 吉永华 

机构地区：[1]中国科学院上海生理研究所,上海生命科学研究中心上海200031

出　　处：《生理科学进展》1999年第3期198-202,共5页Progress in Physiological Sciences

基　　金：国家杰出青年基金

摘　　要：背根神经节 (DRG)神经元伤害性传入涉及到多层面复杂的神经递质与其相关靶受体的分子参与和调控。本文侧重结合DRG神经元中钠电流的表达分布规律 ,简要地论及了电压门控钠通道与DRG神经元伤害性感觉传入及其调制的一些关系。This communication briefly summarizes the molecular characteristics, expression, electrophysiological and pharmacological properties of voltage gated sodium channels in dorsal root ganglion (DRG) neurons, and the effects of voltage gated sodium channels on regulation of nociceptive afferents.

关 键 词：电压门控钠通道 背根神经元 伤害性感觉传入 

分 类 号：R338.1[医药卫生—人体生理学]