检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:常小龙[1] 丁国良[1] 尹文龙[1] 王创伟[1]
机构地区:[1]军械工程学院计算机工程系,石家庄050003
出 处:《计算机工程》2011年第8期130-131,134,共3页Computer Engineering
基 金:国家"863"计划基金资助项目"密码芯片电磁信息泄漏侧信道攻击与防护技术研究"(2007AA01Z454)
摘 要:动态差分串联电压开关逻辑(DDCVSL)、SABL等逻辑电路抵御差分电磁分析时,其防护能力受到电路布局布线的限制。针对该问题,在DDCVSL的基础上引入掩码机制,提出一种改进的防护逻辑(MDDCVSL),并给出一种双轨门电路电磁信息泄漏分析方法。实验采用TSMC 0.18μm工艺设计MDDCVSL、DDCVSL、SABL等逻辑的与非门,结果表明,MDDCVSL能有效去除电磁信息泄漏,具有较小的功耗、面积和时延。The defending ability of Dynamic Differential Cascade Voltage Switch Logic(DDCVSL) and SABL is restricted by layout and routing when they are used for protecting the circuit against differential electromagnetic analysis.Aiming at this problem,this paper gives an improved defend logic Masked Dynamic Differential Cascade Voltage Switch Logic(MDDCVSL) based on DDCVSL through introducing masking mechanism.NAND gates based on MDDCVSL,DDCVSL and SABL are designed with TSMC 0.18 μm technology.Experimental result demonstrates that the improved defend logic get rid of the electromagnetic information leakage and solve the problem that defend ability of MDDCVSL,DDCVSL and SABL are restricted by layout and routing.Meanwhile,MDDCVSL has less power consumption,area and delay than WDDL,MDPL.
关 键 词:差分电磁分析 动态差分串联电压开关逻辑 电磁泄漏系数 偶极子
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