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机构地区:[1]华南理工大学应用物理系,广州510640 [2]内蒙古大学
出 处:《华南理工大学学报(自然科学版)》1999年第10期102-106,共5页Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition)
摘 要:采用EPMA 近似法, 研究了双模型三元混晶界面极化子的性质, 计算了ZnSxSe1 - x(GaAs) 和AlxGa1 - xAs(GaSb) 材料中界面光声子与电子的耦合随x 的变化. 结果表明, 在强电场作用下, 界面光声子与电子的耦合加强; 体光声子与电子的耦合在x 的某一取值处存在极小值,界面光声子与电子的耦合随xIn this paper, EPMA approximation was introduced for the interface polaron of two_mode behavior ternary mixed crystal. The change of the coupling of IO_phonons and electron with x was calculated for ZnS x Se 1-x (GaAs)and Al x Ga 1-x As(GaSb). The results showed that if a static electric field perpendicular to the interface is applied to this system, the coupling of electron and IO_phonons will be strong. The interaction between the electron and the LO_phonon has a minimal value at a certain x . The interaction between the electron and IO_phonons changed dramatically with x .
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