170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额  

Yields of recoil Ar ions induced by 170MeV sulphur ion impacts

作　　者：马新文[1] 申自勇[2] 刘惠萍[1] 杨治虎[1] 王友德[1] 陈熙萌[2] 吕魁 刘兆远[2] 

机构地区：[1]中国科学院近代物理研究所,兰州730000 [2]兰州大学,兰州730000

出　　处：《核技术》1999年第12期705-707,共3页Nuclear Techniques

基　　金：国家自然科学基金!19704012;中国科学院"九五"基础研究重点资助!KJ952-S1-455

摘　　要：利用１７０ＭｅＶ的Ｓ(９＋)与Ａｒ原子气体靶发生碰撞反应，采用高能离子引起的多重电离的飞行时间技术，测量了反冲离子相对产额，并与多体经典轨道蒙特卡罗理论的计算结果进行了对比分析，发现理论低估了较高电荷态反冲离子的产额。The yields of ionized argon atoms induced by 170MeV S^9+ ion impacts werestudied by using time-of-flight technique. The experimental yields of recoil Ar ionswere compared with the theoretical results of n-body classical trajectory MonteCarlo(nCTMC) method it was found that the nCTMC underestimated the yields ofhigher charge states of recoil ions.

关 键 词：离子原子碰撞 多重电离 反冲离子产额 硫 氩 

分 类 号：TL612.1[核科学技术—核技术及应用] O562.5[理学—原子与分子物理]