硅光电二极管光谱响应度的分析  

Analysis on Spectrum Response of Silicon Photoelectric Diode

作　　者：张学骜[1] 吴昊[1] 张海良[1] 王飞[1] 贾红辉[1] 

机构地区：[1]国防科学技术大学,湖南长沙410073

出　　处：《大学物理实验》2011年第2期25-27,共3页Physical Experiment of College

摘　　要：从光电二极管的工作原理出发,对硅光电二极管的光谱响应度进行了论述。分析表明,入射光子的能量、材料的禁带宽度和吸收系数是光谱响应曲线具有波长选择性的主要原因。Based on the principle of work,the spectrum response of silicon photoelectric diode was discussed.Analyses show that the incident photon energy,forbidden band and absorption coefficient of materials are the major reasons to the wavelength selectivity of the spectrum response.

关 键 词：硅光电二极管 光谱响应 波长选择性 

分 类 号：TN364.1[电子电信—物理电子学]