光学微腔品质因数的测试  

作　　者：李杰[1] 贾鹏飞[1] 

机构地区：[1]中北大学电子测试技术国防重点实验室,太原030051

出　　处：《四川兵工学报》2011年第4期113-114,123,共3页Journal of Sichuan Ordnance

基　　金：国家自然科学基金资助项目（60778029）

摘　　要：对Q值的影响因素进行了分析，得出耦合系统的3个关键耦合状态，欠耦合、临近耦合和过耦合；通过拉制纳米光纤锥和搭建耦合系统对微盘腔进行了测试，得到Q值为3．2×10^5。

关 键 词：微盘腔 品质因数 耦合系统 

分 类 号：TN365[电子电信—物理电子学]