SiGe HBT非准静态小信号等效电路的参数提取  

Parameter Extraction of Small-signal Equivalent-circuit Including NQS Effect for SiGe HBTs

作　　者：钮维[1] 王军[1] 

机构地区：[1]西南科技大学信息工程学院,四川绵阳621010

出　　处：《通信技术》2011年第4期170-171,174,共3页Communications Technology

摘　　要：提出了一种硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)非准静态效应的小信号等效电路模型的参数提取方法。整个参数提取过程建立在由非准态效应的小信号等效电路推导出的一系列泰勒级数解析公式并结合参数直接法,该方法依赖于测量的S参数,不使用任何的数值优化法,参数提取结果使用CAD仿真验证。结果表明该参数提取方法简单易行,较为精确,该方法能够用到不同工艺SiGe HBT参数提取。A parameter extraction method for small-signal equivalent-circuit model of Si-Ge heterojunction bipolar transistors（SiGe HBTs） including the input non-quasi-static（NQS） effects is proposed.A set of analytical Taylor expressions,derived from small-signal equivalent circuit including the input non-quasi-static（NQS） effects without any numerical optimization,is used for parameter extraction,the proposed method relies on S-parameter measurements,the extracted parameters are verified by CAD simulation.The simulation results indicate that the method is simple and easy,and could be applied to the parameter extraction of SiGe HBTs with different technologies.

关 键 词：SIGE HBT 小信号模型 参数提取 非准静态 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]