Si(111)衬底上生长的ZnO薄膜的光学特性研究  

The Optical Properties of ZnO Films Grew on Si(111) Substrate

作　　者：宿世臣[1] 胡灿栋[1] 牛犇[2] 

机构地区：[1]华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州510631 [2]东北石油大学华瑞学院,黑龙江哈尔滨150027

出　　处：《广州化工》2011年第9期10-11,26,共3页GuangZhou Chemical Industry

基　　金：国家自然科学基金(60976036);广东省自然科学基金(8151806001000009);广东省育苗项目(LYM10063)项目资助

摘　　要：利用等离子体分子束外延(P-MBE)设备在S i(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜。通过扫描电镜观察了ZnO薄膜的表面形貌为的六角结构。X射线衍射谱显示ZnO薄膜为c轴择优取向的,ZnO(002)取向X射线衍射峰的最大半宽度仅0.18°。并通过室温和变温发光谱对ZnO薄膜的发光特性进行了研究。在低温下ZnO的发光以施主束缚激子为主,室温下发光的主要来源为ZnO的自由激子发光。The high quality ZnO films were grown on Si（111） substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy（P-MBE）.The ZnO hexagonal structure was observed by scanning electronic microscope（SEM）.X-ray diffraction（XRD） showed that the ZnO was wurtzite structure along c-axis direction.The full wave at half Maximum（FWHM） of the（002） was 0.18°.The optical properties of ZnO were studied by the room temperature（RT） and temperature-dependence photoluminescence（PL）.The PL spectra of ZnO attributed to donor bound exciton（D0X） at low temperature and free emission（FE） emission at RT.

关 键 词：ZNO SI 光致发光 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]