估价MOS集成电路工艺和器件设计改进措施的分层结构  

作　　者：Charles G. Sodini 肖辉杨 

出　　处：《微电子学》1990年第3期55-64,68,共11页Microelectronics

摘　　要：本文介绍一种把器件和工艺设计参数与具体的电路应用联系起来的分层结构,定出了这种结构所用的功能电路块的完整的清单,给出了这种结构用于重在设计型电路的例子。这些例子中所给出的实验数据显示出器件设计对特殊的电路应用的影响。另外,还给出了重在工艺型电路的实例,证明了工艺改进措施对具体电路应用的影响。这种分层结构以及器件和工艺的数据将有助于电路设计人员正确评价某些器件和工艺改进措施对特殊的电路和系统要求的影响。

关 键 词：MOS集成电路 工艺 器件设计 结构 

分 类 号：TN432.03[电子电信—微电子学与固体电子学]