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作 者:岂云开[1,2,3] 顾建军[1,2,3] 刘力虎[1,2] 张海峰[1,2] 徐芹[1,2] 孙会元[1,2]
机构地区:[1]河北师范大学物理科学与信息工程学院,石家庄050016 [2]河北省新型薄膜材料重点实验室,石家庄050016 [3]河北民族师范学院物理系,承德067000
出 处:《物理学报》2011年第5期692-696,共5页Acta Physica Sinica
基 金:河北省自然科学基金(批准号:A2009000254);河北师范大学博士基金(批准号:L2006B10);河北省新型薄膜材料重点实验室开放课题项目资助的课题~~
摘 要:采用直流磁控溅射的方法制备了Al/ZnO/Al纳米薄膜,并对薄膜分别在真空及空气中进行退火处理.利用X射线衍射仪(XRD)和物理性能测量仪(PPMS)分别对薄膜样品的结构和磁性进行了表征.XRD分析表明,不同的退火氛围对薄膜的微结构有着很大的影响.采用了一种新的修正方法对磁测量结果进行修正,计算了基底拟合误差的最大值,并对修正后样品的磁性进行了分析.结果显示,室温铁磁性可能与Al和ZnO基体之间发生的电荷转移以及在不同退火氛围下Al在ZnO晶格中的地位变化有关.Al /ZnO /Al thin films are prepared on the glass substrates by dc magnetron sputtering and annealed in vacuum and atmosphere,separately.The crystal structures are analyzed by X-ray diffraction(XRD),and the magnetic properties are measured by a Physical Properties Measurement System(PPMS) with a magnetic field parallel to the films plane.The XRD results indicate that the microstructures of thin films are greatly influenced by the annealing aura.In this paper,an improved corrected method to subtract the signal of the substrate is suggested.Simultaneously,the maximum fitting error of substrate is calculated,and the magnetic properties of the modified films are discussed.The results show that the room temperature ferromagnetism may be related to the charge transfer between Al and Zn and the variational position of Al in ZnO films in different annealing conditions.
关 键 词:Al/ZnO/Al薄膜 铁磁性 磁性表征
分 类 号:TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程]
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