检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:蒲南江[1] 张丕状[1] 张娟娟[1] 高磊[1] 胡洋[1]
机构地区:[1]中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051
出 处:《计算机测量与控制》2011年第5期1194-1196,共3页Computer Measurement &Control
基 金:重点实验室基金项目(9140C12040206060C12)
摘 要:针对单片闪速存储器FLASH容量小、存储速度慢的缺点,提出一种利用FLASH实现大容量高速阵列存储系统的设计方案;根据FLASH存储器芯片结构特性,采用位扩展、并行总线及多通道流水线存储技术提高了存储容量与存储速度,并且实现了对存储阵列的无效块识别与有效块表的建立,在存储过程中各个模块对其有效块地址进行独立管理,保证存储系统的稳定性和高效性;通过试验验证按此方法实现的存储系统存储速度可达到64MB/s,存储容量能达到32GB,用相对小容量、低速的FLASH存储器构建了大容量高速阵列存储系统。This paper presents a design to achieve large-capacity high-speed FLASH array storage system by flash memory.Based on FLASH memory chip's configuration,we use bit extensions,parallel bus and multi-channel line technology to increase the storage capacity of memory and storage speed.Using a relatively small volume,low-speed FLASH memory constructed high-speed large-capacity FLASH array storage systems,and established the effective table to recognize invalid block and valid block.Each module manage the valid block address independent in the storage process to ensure that the storage system stability and efficiency.This method is verified by experiments stored in the storage system,to achieve speed of up to 64MB / s and 32GB storage capacity can reach.
分 类 号:TN98[电子电信—信息与通信工程]
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