MgB2薄膜的制备与特殊性质  

THE SPECIAL PROPERTIES OF MgB_2 THIN FILM ON SiC SUBSTRATE

作　　者：吴桃李[1] 王银博[1] 张琰[1] 陈晋平[1] 冯庆荣[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院,北京大学人工微结构与介观国家重点实验室,北京大学应用超导研究中心,100871

出　　处：《低温物理学报》2011年第3期161-165,共5页Low Temperature Physical Letters

基　　金：国家"973"计划项目(批准号:2006CD601004);国家大学生创新性实验计划(批准号:J0630311)资助的课题~~

摘　　要：本文报道了利用混合物理化学气相沉积方法(HPCVD)在SiC衬底上制备出约150 nm厚,结构均匀的MgB2薄膜.由R^T曲线知道样品TC(0)高达40.1K.由M^T曲线知道其TC=40.4K,且曲线转变十分陡峭.X射线衍射分析表明薄膜具有较好的C轴取向,没有氧污染,却存在Mg的杂峰.由M^H曲线,利用毕恩模型计算得到了5 K零场条件下JC(0T,5K)=2.7×106A/cm2,Hc2=19.5 T.这些结果表明过量的Mg对MgB2薄膜的转变温度以及有些性质有较大的影响.MgB2 thin films with thickness-150 nm have been synthesized on SiC substrate by using hybrid physical-chemical vapor deposition（HPCVD）.XRD analysis shows Mg peaks exist in the sample.M-T measurement indicates that the onset transition temperature TC（onset） is up to 40.4 K.In addition,the critical current density -JC（5 K,0 T） reaches 2.7×106 A/cm2,with the critical field -HC2（0） up to19.5 T.These results indicate that the excess of Mg has a great effect on the properties of MgB2 thin film.

关 键 词：混合物理化学气相沉积法 MgB2薄膜 转变温度TC 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]