检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:赵玉峰[1] 何天虎[1] 冯旺军[1] 李世荣[1] 周又和[2]
机构地区:[1]兰州理工大学理学院,兰州730050 [2]兰州大学土木工程与力学学院西部灾害与环境力学教育部重点实验室,兰州730000
出 处:《低温物理学报》2011年第3期190-193,共4页Low Temperature Physical Letters
基 金:国家自然科学基金(批准号:10602021);兰州理工大学科研发展基金(批准号:0910ZXC132)资助的课题~~
摘 要:基于Norris方程和Bean临界态模型,考虑薄膜超导体内的磁场和电流密度分布特性,通过解析求解的方法推导出薄膜超导体在传输外加电流时其内部的磁场和电流密度以及传输交流损耗的解析表达式,从定量的角度研究超导体截面几何形状对传输交流损耗的影响.结果表明薄膜超导体边缘处的剧烈变化的磁场和电流的分布以及无场区的电流承载能力是影响传输交流损耗的主要原因.Based on Norris equations and Bean model,by considering the characteristics of magnetic field and current density in thin film,the magnetic field and current density in thin film are analytically derived,as well as the transport ac losses.The effect of the geometry of thin film on the transport ac losses is studied quantitatively.The results indicate that the dramatic change of magnetic field and current density at edge of thin film and the current capacity of the field-free region are the main reasons which affect the transport ac losses of thin film.
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