Al2O3衬底MgB2超薄膜的研究  

STUDY OF ULTRATHIN EPITAXIAL MgB_2 SUPERCONDUCTING FILMS GROWN ON Al_2O_3

作　　者：林智远[1] 李东耀[1] 张宇昊[1] 冯庆荣[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院,北京大学应用超导研究中心,北京100871

出　　处：《低温物理学报》2011年第3期214-218,共5页Low Temperature Physical Letters

基　　金：国家"973计划"(批准号:2006CD601004);教育部优秀本科生基础科研基金(批准号:J0630311)资助的课题~~

摘　　要：我们利用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD)在(000l)Al2O3衬底上制备了系列干净的MgB2超薄膜,并通过R-T测量、SEM测量、M-T测量、XRD测量对它们进行了表征,探究了其超导电磁性能和薄膜的生长机制.其中的7.5nm厚的MgB2超薄膜为已报导的蓝宝石衬底上生长的性能最高的超薄膜.Ultrathin epitaxial MgB2 superconducting films which are phase-pure and oxygen-free have been synthesized by hybrid physical-chemical vapor deposition（HPCVD） technique.Characterizing the films of R-T,SEM,M-T and XRD,we explored their superconductivity,growth mechanism and magnetic property.The 7.5 nm thick films are the thinnest films deposited on Al2O3 substrate via HPCVD among all reported.

关 键 词：MgB2超薄膜 HPCVD法 

分 类 号：O484[理学—固体物理]