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机构地区:[1]华中理工大学固体电子学系
出 处:《无机材料学报》1990年第4期318-323,共6页Journal of Inorganic Materials
基 金:国家科学基金
摘 要:本文报道了对新型锑酸镉 Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷进行热分析、化学分析和高温 X 射线衍射分析的实验结果,并对它的合成过程和相变进行了系统的分析讨论。结果表明,在以 CdO 和 Sb_2O_5为原料合成 Cd_6Sb_2O_(10)的过程中,温度效应比较显著,反应从1000℃开始,到1200℃结束;Cd_6Sb_2O_(10)在240℃左右发生—结构相变,高温相具有较高的对称性,此相变是可逆的,而且与 Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷在中温区的电导特性密切相关。The thermal analysis (DTA and TG),chemical analysis and high temperatureX-ray diffraction analysis on Cd_(?)Sb_2O_(10) semiconductive ceramics were carried out.The synthesis and phase transformation of Cd_6Sb_2O_(10) were discussed.The resultsindicate that the synthetic reaction between CdO and Sb_2O_5 begins at 1000℃ andfinishes at 1200℃.A reversible structural phase transformation takes plase at about240℃ for Cd_6Sb_2O_(10) and the high temperature phase has a higher symmetry.Thephase transformation temperatures in heating and cooling processes are 246℃ and228℃ respectively.
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