微腔面发射器件外量子效率研究  

External quantum efficiency of microcavity planar emitting devices

作　　者：马凤英[1] 苏建坡[1] 郭茂田[1] 池泉[1] 陈明[1] 余振芳[1] 

机构地区：[1]郑州大学物理工程学院,郑州450001

出　　处：《物理学报》2011年第6期304-309,共6页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60907046);河南省教育厅自然科学研究计划项目(批准号:2009A140008);河南省青年骨干教师计划资助的课题~~

摘　　要：结合微腔面发射器件辐射/发光亮度的空间分布以及相对光谱功率分布给出了器件外量子效率的计算模型.该模型可以计算工作于不同波段的微腔面发射器件的外量子效率,如红外波段的垂直腔面发射激光器,可见光波段的微腔有机发光二极管和谐振腔发光二极管以及太赫兹波段的平面微腔结构等.制备了结构为玻璃/DBR/ITO/NPB/Alq:C545T/Alq/LiF/Al的微腔有机电致发光器件,测试其不同观察角度下器件的发光亮度以及发光光谱.当电流密度和发光亮度分别为14A/m2和100cd/m2时,利用该模型计算器件的外量子效率为1.5%,而电流密度和发光亮度分别为0.14A/m2和2.2cd/m2时,器件的外量子效率最大,达到2%.The calculation models of the external quantum efficiency for the planar surface emitting devices are presented with considering their spatial distribution of radiance/luminance and relative spectral power distribution.These models can be applied to all kinds of planar surface emitting devices including OLEDs,VCSEL,MOLED,MCLED and planar THz emitting devices.Two planar emitting devices with and without cavity are fabricated with the structure of Glass /DBR /ITO /NPB /Alq：C545T /Alq /LiF /Al and Glass /ITO /NPB /Alq：C545T /Alq /LiF /Al.The external quantum efficiencies are calculated at different current densities using the corresponding model.The external quantum efficiency of the cavity device is close to 1.5% at a current density of 14 A/m^2 and brightness of 100 cd/m^2,and reaches 2% around 0.14 A/m^2 and 2.2 cd/m^2.

关 键 词：外量子效率 平面微腔器件 辐射/发光亮度空间分布 

分 类 号：O482.31[理学—固体物理]